特許
J-GLOBAL ID:201503022565326976

グラフェンナノ構造のDNA画定エッチング法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 木村 満 ,  毛受 隆典 ,  森川 泰司 ,  桜田 圭 ,  美恵 英樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-553286
公開番号(公開出願番号):特表2015-514653
出願日: 2012年10月01日
公開日(公表日): 2015年05月21日
要約:
本発明は、所定のDNA形状を有するDNAサンプルを用いてグラフェンをエッチングする方法を提供する。好ましくは、DNAサンプルを一片の高配向性熱分解黒鉛(Highly Oriented Pyrolytic Graphite;HOPG)の反応域に置き、その後、好ましくは、DNAとHOPGを共に湿度制御室に置く。好ましくは、DNAサンプルの表面に水の膜を形成するため、HOPGに湿度を掛ける。また、エッチング工程に必要なポテンシャルエネルギーを生じるため、HOPGに電圧を掛ける。エッチングが完了したら、通常、反応域を脱イオン水ですすぐ。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一片の高配向性熱分解黒鉛を提供する工程、 前記一片の高配向性熱分解黒鉛にDNAサンプルを載せる工程、 前記一片の高配向性熱分解黒鉛を湿度制御室に置く工程、 前記一片の高配向性熱分解黒鉛に相対湿度を掛ける工程、並びに、 前記第1窓及び前記第2窓に前記電圧を掛ける工程、 を備える、グラフェンナノ構造のエッチング法。
IPC (1件):
C01B 31/02
FI (1件):
C01B31/02 101Z
Fターム (4件):
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146CB15 ,  4G146CB26
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献:
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