特許
J-GLOBAL ID:201503023655384777

廃水のストリームからアンモニウムを除去するためのバイオフィルムキャリア上にANAMMOX微生物を備えるプロセス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-504626
公開番号(公開出願番号):特表2015-515370
出願日: 2013年03月27日
公開日(公表日): 2015年05月28日
要約:
廃水のストリームからアンモニウムを除去するために、アンモニウム酸化微生物(AOB)及び嫌気的アンモニウム酸化(ANAMMOX)微生物を利用するプロセス。主流において廃水から分離された汚泥は、嫌気的分解器、脱水システム、及びバイオフィルム反応器を含む側流において処理される。嫌気的分解器は、分解された汚泥を生成し、前記汚泥は脱水され、比較的に高いアンモニウム濃度及び比較的に低い有機性炭素濃度を有するリジェクト水、並びに比較的に高い温度を生成する。リジェクト水は、リジェクト水からアンモニウム除去するために有効であるAOB及びANAMMOX微生物がシードされる、バイオフィルムキャリアを有する側流脱アンモニアバイオフィルム反応器において、処理される。主流における前記廃水からアンモニウムを除去するために、膜キャリア上のAOB及びANAMMOX微生物は、主流における廃水と接触するために、及びアンモニウムを廃水から除去するために、利用される。主流における条件のために、一定の時間の後は、AOB及びANAMMOX微生物はアンモニウムを有効的に除去しない。バイオフィルムキャリア上のAOB及びANAMMOX微生物を回復させるために、AOB及びANAMMOX微生物は、AOB及びANAMMOX微生物の育成及び増殖のために有利である条件の側流バイオフィルム反応器においてリジェクト水と再び接触される。
請求項(抜粋):
廃水から炭素及びアンモニウムを除去するための廃水処理システムにおいて生物学的に廃水を処理する方法であって、 A 主流において前記廃水を処理する工程であって、 1.前記廃水から一次的汚泥を分離し、及び比較的低いアンモニウム濃度及び比較的低い温度を有する一次的流出を生成する工程と、 2.前記一次的流出を少なくとも1つの主流反応器へ導く工程と、 3.前記廃水から炭素を除去するために前記主流反応器内の前記廃水を生物学的に処理し、及び二次的流出と二次的汚泥とを生成する工程と、を含む工程、 B 側流において前記一次的汚泥と二次的汚泥とを処理する工程であって、 1.側流嫌気的分解器へ前記汚泥を導き、及び分解された汚泥を生成するように前記汚泥を前記嫌気的分解器において処理する工程と、 2.前記分解された汚泥を側流脱水システムへと導き、及び比較的高いアンモニウム濃度と比較的高い温度とを有するリジェクト水を生成するように前記分解された汚泥を脱水する工程と、 3.バイオフィルムキャリアを中に有する側流脱アンモニアバイオフィルム反応器へと前記リジェクト水を導き、並びにアンモニウムを同時に硝化及び脱窒するために前記バイオフィルムキャリア上にバイオマスを育成する工程と、 4.前記側流バイオフィルム反応器内の前記バイオフィルムキャリア上の前記バイオマスを、アンモニウムを同時に硝化及び脱窒するために利用する工程と、を含む工程、 C 前記バイオマスが前記リジェクト水及び前記リジェクト水中の前記比較的高いアンモニウム濃度にさらされた後に、前記主流において前記二次的流出を前記バイオマスと接触させ、及び前記二次的流出のアンモニウム濃度を減少するために前記バイオマスを利用する工程、 D 前記主流において前記二次的流出を前記バイオマスと接触させ、及び前記二次的流出からアンモニウムを除去した後に、前記側流において前記比較的高いアンモニウム濃度と比較的高い温度とを有する前記リジェクト水に前記バイオマスを接触させることによって、前記バイオマスを回復させる工程、及び E 前記二次的流出と前記リジェクト水との前記バイオマスの接触を交替に行うことを、 1.前記主流において前記二次的流出からアンモニウムを除去し、及び 2.前記側流において前記リジェクト水からアンモニウムを除去し且つ前記リジェクト水中で前記バイオマスを回復させる ために継続する工程 を含むことを特徴とする方法。
IPC (5件):
C02F 3/34 ,  C02F 3/00 ,  C02F 3/12 ,  C02F 11/04 ,  C02F 11/12
FI (6件):
C02F3/34 101D ,  C02F3/00 G ,  C02F3/12 B ,  C02F11/04 Z ,  C02F11/12 Z ,  C02F3/34 Z
Fターム (17件):
4D028AA08 ,  4D028BB02 ,  4D028BB07 ,  4D028BD07 ,  4D040BB07 ,  4D040BB23 ,  4D040BB42 ,  4D040BB63 ,  4D040BB82 ,  4D040DD03 ,  4D040DD14 ,  4D040DD31 ,  4D059AA04 ,  4D059AA05 ,  4D059BA11 ,  4D059BE00 ,  4D059CA28
引用特許:
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る