半導体装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 柏岡潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-262742
公開番号（公開出願番号）：特開2015-119099
出願日： 2013年12月19日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：

【課題】半導体装置の3次元構造を有するデバイスの製造において、多層膜に形成されるホールの垂直性を改善する方法の提供。【解決手段】互いに異なる誘電率を有し、且つ、交互に積層された第1の膜及び第2の膜を含む多層膜を、プラズマ処理装置の処理容器内において、マスクを介してエッチングする半導体装置の製造方法。前記方法は、(a)O2ガス若しくはN2ガス、及び希ガスを含む第1のガスを前記処理容器内に供給し、該第1のガスを励起させる工程ST11と、(b)フルオロカーボンガス又はフルオロハイドロカーボンガスを含む第2のガスを前記処理容器内に供給し、該第2のガスを励起させる工程ST12と、(c)HBrガス、フッ素含有ガス、及び、フルオロカーボンガス若しくはフルオロハイドロカーボンガスを含む第3のガスを前記処理容器内に供給し、該第3のガスを励起させる工程ST13と、を含むシーケンスを繰り返し実行する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに異なる誘電率を有し、且つ、交互に積層された第1の膜及び第2の膜を含む多層膜を、プラズマ処理装置の処理容器内において、マスクを介してエッチングする半導体装置の製造方法であって、 O2ガス若しくはN2ガス、及び希ガスを含む第1のガスを前記処理容器内に供給し、該第1のガスを励起させる工程と、フルオロカーボンガス又はフルオロハイドロカーボンガスを含む第2のガスを前記処理容器内に供給し、該第2のガスを励起させる工程と、 HBrガス、フッ素含有ガス、及び、フルオロカーボンガス若しくはフルオロハイドロカーボンガスを含む第3のガスを前記処理容器内に供給し、該第3のガスを励起させる工程と、を含むシーケンスを繰り返し実行する工程を含む、半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L21/302 104Z , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/302 105A , H01L21/302 301M

Fターム (35件)：

5F004BA09 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA03 , 5F004DA11 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA03 , 5F004EA13 , 5F004EA22 , 5F004EA28 , 5F004EB01 , 5F083EP76 , 5F083GA10 , 5F083GA27 , 5F083PR03 , 5F083PR07 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BH14

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法並びにコンピュータ記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-039978 出願人：東京エレクトロン株式会社
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-114109 出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
ドライエツチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-280374 出願人：ソニー株式会社

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