特許
J-GLOBAL ID：201003074826114819

超高アスペクト比の誘電体パルスエッチング

発明者：
チ・キョン-クー

チ・キョン-クー について

, 
エデルバーグ・エリック・エー.

エデルバーグ・エリック・エー. について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-548493
公開番号（公開出願番号）：特表2010-518605
出願日： 2008年02月04日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：
【解決手段】エッチングチャンバ内で炭素系マスクを介して超高アスペクト比フィーチャの誘電体を選択的エッチングするための方法が提供されている。フルオロカーボン含有分子および酸素含有分子を含むエッチングガスの流れが、エッチングチャンバに供給される。パルスバイアスRF信号が供給される。エッチングガスをプラズマに変換するために、励起RF信号が供給される。【選択図】図4B
請求項（抜粋）：
エッチングチャンバ内で炭素系マスクを介して超高アスペクト比フィーチャの誘電体層をエッチングするための方法であって、 前記炭素系マスクに対して前記誘電体層を選択的にエッチングし、前記炭素系マスク上にフルオロカーボン系ポリマの正味の蒸着を提供することと、 前記選択的エッチングを停止する工程と、 前記炭素系マスクに対して前記誘電体層をさらに選択的にエッチングすることとを備え、 前記さらに選択的にエッチングは、 フルオロカーボン含有分子および酸素含有分子を含むエッチングガスの流れを前記エッチングチャンバへ供給し、 パルスバイアスRF信号を供給し、 励起RF信号を供給することと、 を備える、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/90 C
Fターム (32件)：
5F004AA02 ,  5F004AA04 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA04 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033WW00 ,  5F033XX04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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