特許
J-GLOBAL ID:201503029715158605

ふっ素を含有する配位高分子錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  永坂 友康 ,  小林 良博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-180683
公開番号(公開出願番号):特開2015-086218
出願日: 2014年09月04日
公開日(公表日): 2015年05月07日
要約:
【課題】ピラードレイヤー構造を有している新規な多孔性高分子金属錯体及びこれを用いた優れた特性を有するガス吸着材を提供すること、前記特性を有するガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置を併せて提供することを目的とする。【解決手段】下記式(1) [MXY]n (1)(式中、Mは2価の遷移金属イオン、Xは第一配位子を示し、炭素数1から10である、パーフルオロアルキル基、分岐アルキル基、分岐アルキルオキシ基またはジアルキルアミノ基を5位に有するイソフタル酸誘導体である。Yは第二配位子を示し、ピラジン、またはピリジル型の配位点を分子の両末端に有しているビピリジル型の第二配位子である。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)で表され、2価の遷移金属イオンと第一配位子によりカゴメ型の層状ネットワーク構造が形成され、さらにそのカゴメ型の層状ネットワーク構造が第二配位子により架橋されたピラードレイヤー型と呼ばれる三次元ネットワーク構造を有している多孔性高分子金属錯体及び、そのガス吸着材としての利用ならびにこれを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記式(1) [MXY]n (1) (式中、Mは2価の遷移金属イオン、Xは第一配位子を示し、炭素数1から10である、パーフルオロアルキル基、分岐アルキル基、分岐アルキルオキシ基またはジアルキルアミノ基を5位に有するイソフタル酸誘導体である。Yは第二配位子を示し、ピラジン、ビピリジン、4-ピリジル基を分子両末端に有するビピリジン類縁体である。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。) で表され、2価の遷移金属イオンと第一配位子によりカゴメ型の層状のネットワーク構造が形成され、さらにそのカゴメ型の層状ネットワーク構造が第二配位子により架橋されたピラードレイヤー型と呼ばれる三次元ネットワーク構造を有している多孔性高分子金属錯体。
IPC (5件):
C07D 213/22 ,  C08G 79/00 ,  B01J 20/26 ,  F17C 11/00 ,  C07C 63/72
FI (5件):
C07D213/22 ,  C08G79/00 ,  B01J20/26 A ,  F17C11/00 A ,  C07C63/72
Fターム (45件):
3E172AA02 ,  3E172AA03 ,  3E172AA05 ,  3E172AB12 ,  3E172AB13 ,  3E172EA02 ,  3E172EA13 ,  3E172FA07 ,  4C055AA01 ,  4C055BA01 ,  4C055CA01 ,  4C055DA27 ,  4C055EA01 ,  4G066AB24B ,  4G066AC11B ,  4G066AC33B ,  4G066AC35B ,  4G066BA22 ,  4G066BA36 ,  4G066CA35 ,  4G066CA37 ,  4G066DA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006AB84 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BS30 ,  4H048AA03 ,  4H048AB46 ,  4H048AB84 ,  4H048VA32 ,  4H048VB10 ,  4H050AA03 ,  4H050AB46 ,  4H050AB84 ,  4J030CA02 ,  4J030CB01 ,  4J030CC02 ,  4J030CC04 ,  4J030CC30 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CG10
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
審査官引用 (4件)
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