特許
J-GLOBAL ID：201503030890892956
III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-061420
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197227
特許番号：特許第5729335号
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 発光層の一部領域を非発光領域とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
成長基板上にIII 族窒化物半導体からなるn型層、発光層、p型層を順に積層する第1工程と、
前記p型層を熱処理によりp型活性化後、前記p型層上にpコンタクト電極を形成する第2工程と、
前記pコンタクト電極上の所望の領域に、Ag、Cu、またはAuからなる金属粒子を、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、または脂肪族高級アルコールからなる溶媒に分散させたものである金属ペーストを塗布する第3工程と、
1〜50Paの圧力の酸素雰囲気中または真空中、温度300〜600°C、5〜30分間熱処理して前記金属ペーストを固化させ、併せて、前記金属ペースト中の水素を前記p型層の一部領域中に拡散させ、p型不純物をその拡散させた水素により不活性化することにより、前記p型層の一部領域を高抵抗領域とすることで、前記発光層のうち平面視において前記金属ペーストを塗布した領域と重なる領域を前記非発光領域とする第4工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/14 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 33/40 ( 201 0.01)
H01L 33/00 150
, H01L 33/00 186
, H01L 33/00 220
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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