特許
J-GLOBAL ID：201503034793611948

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
土屋 義規

土屋 義規 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-046253
公開番号（公開出願番号）：特開2013-183050
特許番号：特許第5646527号
出願日： 2012年03月02日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶の第1の半導体で形成される基板と、 前記基板上に形成されるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、多結晶の第2の半導体で形成される半導体層と、金属と前記第2の半導体との反応生成物である第1の金属半導体化合物で形成される金属半導体化合物層との積層構造を備えるゲート電極と、 前記ゲート電極を挟んで前記基板上に形成され、前記金属と前記第1の半導体との反応生成物である第2の金属半導体化合物で形成される電極とを備え、 前記多結晶の第2の半導体上の前記第1の金属半導体化合物の凝集温度が、前記単結晶の第1の半導体上の前記第2の金属半導体化合物の凝集温度より低く、 前記半導体層と前記金属半導体化合物層との界面にクラスタ状の炭素高濃度領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01)
FI (12件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/58 G ,  H01L 21/28 301 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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