特許
J-GLOBAL ID：200903069870526801

シリコン表面の酸化防止方法、シリコン表面にシリサイド層を形成する方法および高架型半導体構造の垂直面上に酸化層を形成する方法

発明者：
土明 正勝

土明 正勝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068786
公開番号（公開出願番号）：特開平8-301612
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1996年11月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、シリコン上に非常に薄い炭素含有シリコン表面層を形成することによりシリコン表面上のシリコンの酸化を抑制する方法を目的としている。本発明は、基板の各部分の水平部分にのみ均一なシリコン層を形成する方法も目的としている。【解決手段】 シリコン表面は、炭素含有プラズマに露呈されて炭素含有シリコン層を形成する。炭素処理は、プラズマからのイオン衝撃によってシリコン表面をわずかに非晶質にする。酸化物がなく、わずかに非晶質のシリコン表面は、シリコンとそこに成膜される金属間のシリサイド化反応の均質な進行を促進し、薄いが平坦で安定したシリサイド膜を形成する。シリコン層は、デバイスの露出しているすべての表面に符号するように成膜される。次に、水平面は炭素含有プラズマに露呈されて水平面上に抗酸化層を形成する。次に、連続酸化がシリコンの垂直部分で選択的に進行する。レベルが異なる各水平シリコン層は影響を受けずに、互いに電気的に絶縁される。
請求項（抜粋）：
シリコン表面を炭素含有プラズマに露呈して炭素含有シリコン表面層を形成することを含むことを特徴とするシリコン表面の酸化防止方法。
IPC (5件)：
C01B 33/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
C01B 33/02 Z ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
審査官引用 (4件)
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