特許

J-GLOBAL ID：201503039135600764

半導体発光素子、光源ヘッド、及び画像形成装置

発明者： 藤本 貴士 ,  福永 秀樹
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-182370
公開番号（公開出願番号）：特開2015-109417
出願日： 2014年09月08日
公開日（公表日）： 2015年06月11日
要約：

【課題】全ゲート層を発光層とした場合と比べて、スイッチング特性の低下を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させた半導体発光素子、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子100は、p型ゲート層108とアノード層104との間に設けられたn型ゲート層106のバンドギャップが、アノード層104よりも小さく、また、p型ゲート層108よりも大きい。これにより、ゲート層のうち、一方のp型ゲート層108層を発光層として機能させるため、発光層が薄くなる。また、p型ゲート層108のAl組成比が低いため、ゲート電極122との接触抵抗及びシート抵抗を低減し、また、ゲート電流Igを低減するので、閾値電圧Vthの増大が抑制される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1電極が形成された第1導電型の基板と、 前記基板の前記第1電極が形成された側と反対側に形成された前記第1導電型の第1半導体層と、 前記第1半導体層上に形成された、前記第1半導体層よりもバンドギャップが小さい第2導電型の第2半導体層と、 前記第2半導体層上に形成され、上部の一部の領域に第2電極が形成された、前記第2半導体層よりもバンドギャップが小さい前記第1導電型の第3半導体層と、 前記第3半導体層上の前記第2電極が形成された領域と異なる領域に形成され、上部に第3電極が形成された前記第2導電型の第4半導体層と、 を含む半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/14 ,  H01L 33/10 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/447

FI (4件)：

H01L33/00 150 ,  H01L33/00 130 ,  B41J2/45 ,  B41J2/447 101A

Fターム (36件)：

2C162AE03 ,  2C162AE21 ,  2C162AE28 ,  2C162AE47 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  5F141AA03 ,  5F141AA21 ,  5F141CA03 ,  5F141CA05 ,  5F141CA07 ,  5F141CA12 ,  5F141CA36 ,  5F141CA49 ,  5F141CA53 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CB15 ,  5F141CB22 ,  5F141FF13 ,  5F241AA03 ,  5F241AA21 ,  5F241CA03 ,  5F241CA05 ,  5F241CA07 ,  5F241CA12 ,  5F241CA36 ,  5F241CA49 ,  5F241CA53 ,  5F241CA57 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CB15 ,  5F241CB22 ,  5F241FF13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-068827   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 発光サイリスタおよび自己走査型発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-239926   出願人：日本板硝子株式会社
• 発光サイリスタ、発光サイリスタを用いた発光装置および画像形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-380391   出願人：京セラ株式会社
• 発光サイリスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-238110   出願人：日本板硝子株式会社