特許
J-GLOBAL ID：201503043054763410
不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-189307
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049508
特許番号：特許第5698714号
出願日： 2012年08月29日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電部と、
リチウム、クロム、鉄、銅、インジウム、テルル、カルシウム、ナトリウム、銀、コバルト、金、チタン、タングステン、エルビウム、白金、アルミニウム及びニッケルの少なくともいずれかの金属原子、または前記少なくともいずれかの金属原子を含む合金を含む第2導電部と、
前記第1導電部と前記第2導電部との間に設けられ、前記第1導電部に接触した第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2導電部との間に設けられ、前記第1半導体層に接触するとともに前記第2導電部に接触した第2導電型の第2半導体層と、
を含み、前記第1導電部と前記第2導電部とを介して印加される電圧及び供給される電流の少なくともいずれかにより、抵抗が低い第1状態と前記第1状態よりも抵抗が高い第2状態との間で可逆的に遷移可能な記憶層と、
を備えた不揮発性記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, H01L 49/00 ( 200 6.01)
H01L 27/10 448
, H01L 45/00 Z
, H01L 49/00 Z
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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