特許
J-GLOBAL ID：201503044191048717
パターン形成方法、フォトマスク及びナノインプリント用モールド原盤
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (17件)：
蔵田 昌俊
, 高倉 成男
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-075089
公開番号（公開出願番号）：特開2013-205653
特許番号：特許第5690768号
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、露光後に現像液を用いて現像する工程を含む微細なパターンの形成方法において、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物(A)を含み、且つ、前記現像液中にテトラプロピルアンモニウムヒドロキシドを含むことを特徴とするパターン形成方法。
一般式(I)中、
R01、R02及びR03は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R03はAr1と結合して環を形成していてもよく、その場合のR03はアルキレン基を表わす。
Ar1は、(n+1)価の芳香環基を表し、R03と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。
nは1〜4の整数を表す。
Yは、nが2以上の場合は各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Yの少なくとも1つは、下記一般式(II)で表される酸の作用により脱離する基を表す。
一般式(II)中、L1及びL2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、脂環基、芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアシル基を表す。なお、これら脂環基及び芳香環基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
なお、L1はM及び/又はQと結合して、環を形成していてもよい。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/32 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/039 601
, G03F 7/32
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 502 R
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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