特許
J-GLOBAL ID：201503044511654920

半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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笹川 慎也

笹川 慎也 について

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本堂 英

本堂 英 について

, 
須澤 英臣

須澤 英臣 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-148491
公開番号（公開出願番号）：特開2015-043415
出願日： 2014年07月22日
公開日（公表日）： 2015年03月05日
要約：
【課題】微細化に伴い顕著となる電気特性の低下を抑制できる構成の半導体装置を提供する。【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、第1の絶縁膜上の第1の導電膜および第2の導電膜と、第2の酸化物半導体膜上の第3の酸化物半導体膜と、第3の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上の第3の導電膜と、を有し、第1の導電膜および第2の導電膜のそれぞれは、第2の酸化物半導体膜の第1の側面と接し、第3の導電膜は、チャネル幅方向において、第2の酸化物半導体膜の第2の側面に面している構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、 前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、 前記第1の絶縁膜上の第1の導電膜および第2の導電膜と、 前記第2の酸化物半導体膜上の第3の酸化物半導体膜と、 前記第3の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上の第3の導電膜と、を有し、 前記第1の導電膜および前記第2の導電膜のそれぞれは、前記第2の酸化物半導体膜の第1の側面と接し、 前記第3の導電膜は、チャネル幅方向において、第2の酸化物半導体膜の第2の側面に面していることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/105
FI (13件)：
H01L29/78 617K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616T ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/14 C ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 441
Fターム (130件)：
4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118HA26 ,  5F048AA01 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BE08 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB10 ,  5F048DA24 ,  5F083AD69 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA00 ,  5F083LA11 ,  5F083PR06 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA15 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF33 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN40 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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