特許
J-GLOBAL ID:201503046990586538
基板乾燥装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-182917
公開番号(公開出願番号):特開2015-050414
出願日: 2013年09月04日
公開日(公表日): 2015年03月16日
要約:
【課題】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させるにあたって、基板上の液体から溶媒のみを乾燥させ、基板上に固体を析出させた後、固体を除去する工程において、固体の除去のために消費する処理ガスや、エネルギーの消費量を低減することができる基板乾燥装置を提供する。【解決手段】表面に凹凸のパターンが形成され、前工程の液体が付着している基板上に、IPAにナフタレンを溶解させたナフタレン溶液を供給した後、ナフタレン溶液中のIPAのみを乾燥させ、基板上に固体のナフタレンを析出させる。その後、基板上にIPAを供給して、ナフタレン膜を上部から溶解することで、所望のナフタレンの膜厚を得る。その後、窒素ガスによってIPAを蒸発させ、ナフタレンを昇華させることで基板上を乾燥させる。ナフタレンの膜厚を所望の膜厚にした上で昇華を行うことで、消費する窒素ガスの量を削減することができる。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
常温、常圧環境下で昇華性を有する乾燥補助物質を溶媒に溶解させた乾燥補助液を、処理液が付着した基板に供給する乾燥補助液供給手段と、
前記乾燥補助液に含まれる前記溶媒を蒸発により除去し、前記乾燥補助物質の前記溶媒への溶解度よりも、前記乾燥補助液に含まれる前記乾燥補助物質の濃度を高くすることで、前記基板表面に前記乾燥補助物質を析出させる析出手段と、
前記基板表面に析出した乾燥補助物質を溶解する溶解液を、前記基板表面に供給する溶解液供給手段と、
前記溶解液を除去する溶解液除去手段と、
前記乾燥補助物質を昇華させて、前記基板表面から除去する昇華手段と、
を備える基板乾燥装置。
IPC (3件):
H01L 21/304
, F26B 5/16
, G03F 1/82
FI (3件):
H01L21/304 651B
, F26B5/16
, G03F1/82
Fターム (22件):
2H095BB23
, 3L113AA01
, 3L113AB10
, 3L113AC29
, 3L113AC67
, 3L113BA34
, 3L113DA02
, 3L113DA10
, 5F157AA09
, 5F157AB02
, 5F157AB14
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157AC03
, 5F157AC11
, 5F157AC26
, 5F157BB23
, 5F157CB02
, 5F157CB11
, 5F157CB14
, 5F157DA21
, 5F157DB33
引用特許:
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