特許
J-GLOBAL ID:201503050312638142
希土類錯体ポリマーとその製造方法、及びプラスチック成形体
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 沖田 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-180208
公開番号(公開出願番号):特開2015-071751
出願日: 2014年09月04日
公開日(公表日): 2015年04月16日
要約:
【課題】本発明は、プラスチック材料に配合して成形加工するために十分な耐熱性を有し、かつ分散性が良好な希土類錯体ポリマーを提供することを目的とする。【解決手段】三価の希土類イオンと、ホスフィンオキシド多座配位子と、単座配位子及び/又はキレート配位子と、を含み、キレート配位子が、ホスフィンオキシド基を有する化合物、及び窒素原子又は硫黄原子を配位子として有する化合物から選ばれる配位子であり、1つのホスフィンオキシド多座配位子が、2つ以上の希土類イオンに配位して2つ以上の希土類イオン同士を橋かけしており、1つの単座配位子及び/又はキレート配位子が、1つの希土類イオンに配位している、希土類錯体ポリマー。【選択図】なし
請求項(抜粋):
三価の希土類イオンと、ホスフィンオキシド多座配位子と、単座配位子及び/又はキレート配位子と、を含み、
前記キレート配位子が、ホスフィンオキシド基を有する化合物、及び窒素原子又は硫黄原子を配位子として有する化合物から選ばれる配位子であり、
1つの前記ホスフィンオキシド多座配位子が、2つ以上の前記希土類イオンに配位して2つ以上の前記希土類イオン同士を橋かけしており、
1つの前記単座配位子及び/又は前記キレート配位子が、1つの前記希土類イオンに配位している、希土類錯体ポリマー。
IPC (3件):
C08G 79/04
, C08L 101/00
, C08L 85/02
FI (3件):
C08G79/04
, C08L101/00
, C08L85/02
Fターム (26件):
4J002BB031
, 4J002BB121
, 4J002BD041
, 4J002BD121
, 4J002BD151
, 4J002CB001
, 4J002CC041
, 4J002CD001
, 4J002CF001
, 4J002CF211
, 4J002CG001
, 4J002CK011
, 4J002CL001
, 4J002CM041
, 4J002CN011
, 4J002CN031
, 4J002CQ012
, 4J002GG01
, 4J002GG02
, 4J030CA01
, 4J030CB32
, 4J030CC12
, 4J030CD11
, 4J030CE02
, 4J030CG16
, 4J030CG21
引用特許: