処理ユニットを含む基板処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小倉正明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-548650
公開番号（公開出願番号）：特表2015-503247
出願日： 2012年11月23日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：

本発明の一実施例によると,基板に対する処理が行われる基板処理装置は,上部が開放され,一側に前記基板が出入する通路が形成される下部チャンバと,前記下部チャンバの開放された上部を閉鎖し,前記処理が行われる処理空間を提供する外部反応チューブと,一つ以上の前記基板が上下方向に積載され,前記基板ホルダの内に前記基板が積載される積載位置及び前記基板に対する前記処理が行われる処理位置に転換可能な基板ホルダと,前記処理空間に向かって反応ガスを供給するガス供給ユニットと,前記外部反応チューブの外側に設置されて前記反応ガスを活性化して前記基板に対する処理を行う処理ユニットと,を含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板に対する処理が行われる基板処理装置において, 上部が開放され,一側に前記基板が出入する通路が形成された下部チャンバと, 前記下部チャンバの開放された上部を閉鎖し,前記処理が行われる処理空間を提供する外部反応チューブと, 一つ以上の前記基板が上下方向に積載され,前記基板が積載される積載位置及び前記基板に対する前記処理が行われる処理位置に移動可能な基板ホルダと, 前記処理空間に向かって反応ガスを供給するガス供給ユニットと, 前記外部反応チューブの外側に設置されて前記反応ガスを活性化して前記基板に対する処理を行う処理ユニットと,を含むことを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , C23C 16/24 , C23C 16/455

FI (5件)：

H01L21/205 , H01L21/302 102 , H01L21/302 101C , C23C16/24 , C23C16/455

Fターム (70件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030DA04 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030KA08 , 4K030KA09 , 4K030KA12 , 4K030KA23 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F004AA14 , 5F004BA11 , 5F004BA20 , 5F004BB19 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004BC01 , 5F004BC03 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004DA00 , 5F004DA17 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB03 , 5F004EA28 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB08 , 5F045EB09 , 5F045EB10 , 5F045EE14 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EF20 , 5F045EG05 , 5F045EH02 , 5F045EH11 , 5F045EK07 , 5F045EN04 , 5F045HA03 , 5F045HA22 , 5F045HA23 , 5F045HA24 , 5F045HA25

引用特許：

審査官引用 (17件)

ウェーハの処理方法、ウェーハの処理装置、エッチング方法およびエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-273316 出願人：三星電子株式会社
ウエハ処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-089082 出願人：ソニー株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-059526 出願人：東京エレクトロン東北株式会社, 株式会社安川電機

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