特許

J-GLOBAL ID：201503061731046907

再書き込み動作のための不揮発性メモリセル、不揮発性メモリセル、及び不揮発性メモリセルの動作方法

発明者： 景 文▲浩▼ ,  ▲頼▼ 妍心 ,  王 世辰
出願人/特許権者： 力旺電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-126757
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070264
出願日： 2014年06月20日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：

【課題】再書き込み動作のための性能が向上した不揮発性メモリセルを提供する。【解決手段】 不揮発性メモリセルは、複数の不揮発性メモリセルのアレイを有する。不揮発性メモリセルは、第1ウェル上に形成されたカップリング装置と、前記カップリング装置に電気的に接続された読み取り装置と、第2ウェル上に形成された浮遊ゲート装置と、前記浮遊ゲート装置に電気的に接続され、前記第2ウェル上に形成されたプログラム装置と、第3ウェル上に形成された消去装置と、を有する。不揮発性メモリセルにおいでの読み取り動作、プログラム動作及び消去動作の周期を分離できるように、前記カップリング装置、前記浮遊ゲート装置及び前記消去装置は別のウェルに形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1ウェル上に形成されたカップリング装置と、 前記カップリング装置に電気的に接続された読み取り装置と、 第2ウェル上に形成された浮遊ゲート装置と、 前記浮遊ゲート装置に電気的に接続され、前記第2ウェル上に形成されたプログラム装置と、 第3ウェル上に形成された消去装置と、を有し、 前記カップリング装置、前記浮遊ゲート装置及び前記消去装置は、共通浮遊ゲートによって結合されている、 不揮発性メモリセル。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/02 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115

FI (7件)：

H01L29/78 371 ,  G11C17/00 623Z ,  G11C17/00 621A ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 612E ,  G11C17/00 613 ,  H01L27/10 434

Fターム (51件)：

5B125BA09 ,  5B125CA27 ,  5B125CA28 ,  5B125CA30 ,  5B125DA09 ,  5B125DB12 ,  5B125DB20 ,  5B125DC12 ,  5B125EB01 ,  5B125EB08 ,  5B125EB10 ,  5B125EC09 ,  5B125EJ02 ,  5B125FA07 ,  5B225BA09 ,  5B225CA27 ,  5B225CA28 ,  5B225CA30 ,  5B225DA09 ,  5B225DB22 ,  5B225DB37 ,  5B225DC12 ,  5B225EB01 ,  5B225EB08 ,  5B225EB10 ,  5B225EC09 ,  5B225EJ02 ,  5B225FA07 ,  5F083EP13 ,  5F083EP22 ,  5F083EP30 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER14 ,  5F083ER15 ,  5F083ER16 ,  5F083ER19 ,  5F083GA21 ,  5F083LA21 ,  5F083NA01 ,  5F101BA02 ,  5F101BA17 ,  5F101BB06 ,  5F101BB09 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD35 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性メモリーセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-134764   出願人：力旺電子股ふん有限公司
• 単一ゲート構造を有するEEPROMのプログラミング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-343213   出願人：三星電子株式会社