不揮発性メモリーセル

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134764
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102119
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：

【課題】種々の回路ブロックを単一の集積回路(IC)に集約するために、不揮発性メモリーブロックをロジック機能ブロックにまとめる。【解決手段】結合素子と第一のセレクトトランジスターを有している。結合素子は第一の伝導領域において形成されている。第一のセレクトトランジスターは、第一の浮遊ゲートトランジスターおよび第二のセレクトトランジスターに直列的に接続されており、それらは全て第二の伝導領域に形成されている。結合素子の電極および第一の浮遊ゲートトランジスターのゲートは、モノリシックに形成された浮遊ゲートである。第二の伝導領域は第一の伝導領域と第三の伝導領域の間に形成され、第一の伝導領域、第二の伝導領域、および第三の伝導領域は、ウェルである。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリーセルであって: 第一の伝導領域に形成された結合素子;並びに第一の浮遊ゲートトランジスターと第二の浮遊ゲートトランジスターとに直列的に接続された第一のセレクトトランジスター; を有し、前記第一の浮遊ゲートトランジスター、前記第二の浮遊ゲートトランジスター、および前記第一のセレクトトランジスターは、第二の伝導領域に形成され、前記結合素子の電極と前記第一の浮遊ゲートトランジスターのゲートは、モノリシックに形成された浮遊ゲートであり、前記第一の伝導領域と第二の伝導領域は、第三の伝導領域において形成され、前記第一の伝導領域、第二の伝導領域、および前記第三の伝導領域は、ウェルである、ことを特徴とする揮発性メモリーセル。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 27/10 , G11C 16/04

FI (4件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L27/10 481 , G11C17/00 623B

Fターム (36件)：

5B125BA09 , 5B125CA08 , 5B125EB01 , 5B125EB02 , 5B125FA02 , 5B125FA06 , 5B125FA07 , 5F083EP02 , 5F083EP13 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083GA01 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA21 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083LA21 , 5F083NA03 , 5F083PR43 , 5F083PR53 , 5F083ZA01 , 5F101BA17 , 5F101BB06 , 5F101BC02 , 5F101BD02 , 5F101BD36 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE06 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (7件)

PMOS単一ポリ非揮発性メモリ構成体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310708 出願人：プログラマブルマイクロエレクトロニクスコーポレイション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-247609 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-139823 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

全件表示

前のページに戻る