特許

J-GLOBAL ID：201503072136291398

半導体装置

発明者： 吉木 純 ,  秋山 深一 ,  木内 謙二
出願人/特許権者： トランスフォーム・ジャパン株式会社
代理人 (5件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦 ,  小澁 高弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-183259
公開番号（公開出願番号）：特開2015-050431
出願日： 2013年09月04日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：

【課題】信頼性が高く、低コストで、高い歩留りで製造することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】基板の上に形成された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の上に順次積層された、第1の導電層、第2の導電層、第3の導電層、及び第4の導電層を含む電極と、を有し、前記第1の導電層は、NiまたはPdを含む金属層を含み、前記第2の導電層は、TiまたはTaを含む金属層を含み、前記第3の導電層は、TiまたはTaの窒化物層を含み、前記第4の導電層は、AlまたはCuを含む金属層を含むことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体層の上に順次積層された、第1の導電層、第2の導電層、第3の導電層、及び第4の導電層を含む電極と、 を有し、 前記第1の導電層は、NiまたはPdを含む金属層を含み、 前記第2の導電層は、TiまたはTaを含む金属層を含み、 前記第3の導電層は、TiまたはTaの窒化物層を含み、 前記第4の導電層は、AlまたはCuを含む金属層を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41

FI (8件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/80 M ,  H01L29/80 H ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 S ,  H01L29/78 301B

Fターム (49件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BF05 ,  5F140BF17 ,  5F140BF22 ,  5F140BF25 ,  5F140BF30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法、電源装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-039949   出願人：富士通株式会社
• 広バンドギャップショットキー障壁デバイス用の多層拡散障壁
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-500048   出願人：クリーインコーポレイテッド