特許
J-GLOBAL ID：201303037209835044

広バンドギャップショットキー障壁デバイス用の多層拡散障壁

発明者：
ミエチュコウスキー ヴァン

ミエチュコウスキー ヴァン について

, 
ハグライトナー ヘルムート

ハグライトナー ヘルムート について

, 
リン ゾルタン

リン ゾルタン について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (6件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-500048
公開番号（公開出願番号）：特表2013-522906
出願日： 2011年01月13日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：
半導体ショットキー障壁デバイスが、広バンドギャップ半導体層と、この広バンドギャップ半導体層上に存在してショットキー接合部を形成するショットキー障壁金属層と、このショットキー障壁金属層上に広バンドギャップ半導体層から離れて存在する電流拡散層と、この電流拡散層とショットキー障壁金属層の間の2又はそれ以上の拡散障壁層とを含む。第1の拡散障壁層が、約300°Cを超えるショットキー接合部の温度における電流拡散層と第2の拡散障壁層の混合を抑制し、第2の拡散障壁層が、約300°Cを超えるショットキー接合部の温度における第1の拡散障壁層とショットキー障壁金属層の混合を抑制する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ショットキー障壁デバイスであって、 広バンドギャップ半導体層と、 前記広バンドギャップ半導体層上に存在し、該広バンドギャップ半導体層とのショットキー接合部を形成するショットキー障壁金属層と、 前記ショットキー障壁金属層上に前記広バンドギャップ半導体層から離れて存在する電流拡散層と、 前記電流拡散層と前記ショットキー障壁金属層の間の第1の拡散障壁層と、 前記第1の拡散障壁層と前記ショットキー障壁金属層の間の第2の拡散障壁層と、 を含むことを特徴とするデバイス。
IPC (6件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/423 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778
FI (4件)：
H01L29/48 M ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/80 M ,  H01L29/80 H
Fターム (31件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH04 ,  4M104HH05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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