欠陥分類方法及び検査装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大山健次郎 , 小川潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-261652
公開番号（公開出願番号）：特開2015-119056
出願日： 2013年12月18日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：

【課題】バイポーラ型の高電圧素子においてキラー欠陥となる基底面内欠陥を他の欠陥から区別して分類できる欠陥分類方法及び検査装置を実現する。【解決手段】本発明の欠陥分類方法は、炭化珪素基板に向けて照明ビームを投射し、反射画像及びフォトルミネッセンス画像を形成する工程と、形成された反射画像から欠陥像を検出する第1の検査工程と、形成されたフォトルミネッセンス画像から欠陥像を検出する第2の検査工程と、欠陥像の検出の有無と検出された欠陥像の形状とに基づき、検出された欠陥を分類する欠陥分類工程と含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板又はエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する欠陥分類方法であって、炭化珪素基板に向けて照明ビームを投射し、炭化珪素基板から出射した反射光及びフォトルミネッセンス光を個別に検出し、反射画像及びフォトルミネッセンス画像を形成する工程と、形成された反射画像から欠陥像を検出する第1の検査工程と、形成されたフォトルミネッセンス画像から欠陥像を検出する第2の検査工程と、欠陥像の検出の有無と検出された欠陥像の形状とに基づき、検出された欠陥を分類する欠陥分類工程と含むことを特徴とする欠陥分類方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01N 21/95 , G01N 21/64

FI (3件)：

H01L21/66 N , G01N21/95 Z , G01N21/64 Z

Fターム (48件)：

2G043AA03 , 2G043CA05 , 2G043DA05 , 2G043DA06 , 2G043EA01 , 2G043EA14 , 2G043FA01 , 2G043FA02 , 2G043HA01 , 2G043HA02 , 2G043HA05 , 2G043HA07 , 2G043HA09 , 2G043JA03 , 2G043KA02 , 2G043KA03 , 2G043KA09 , 2G043LA02 , 2G043LA03 , 2G043MA01 , 2G043NA06 , 2G051AA51 , 2G051AB07 , 2G051BA05 , 2G051BA10 , 2G051BB09 , 2G051BB11 , 2G051BB17 , 2G051BB20 , 2G051CA02 , 2G051CA03 , 2G051CB01 , 2G051CB10 , 2G051CC09 , 2G051CC12 , 2G051CC13 , 2G051DA07 , 2G051EA14 , 2G051EC01 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106BA07 , 4M106CA18 , 4M106CA22 , 4M106CB19 , 4M106DH31 , 4M106DJ21 , 4M106DJ28

引用特許：

出願人引用 (2件)

検査装置及び欠陥検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-035751 出願人：レーザーテック株式会社
半導体試料の欠陥評価方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-335889 出願人：独立行政法人宇宙航空研究開発機構

審査官引用 (2件)

炭化珪素半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-148566 出願人：財団法人電力中央研究所
検査装置、検査方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-270811 出願人：富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

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