シリコン含有エピタキシャル膜およびその製造方法ならびに半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：植木久一 , 植木久彦 , 菅河忠志 , 伊藤浩彰 , 柴田有佳理
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-185285
公開番号（公開出願番号）：特開2015-053382
出願日： 2013年09月06日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
要約：

【課題】より低温で且つ高速で成膜することが可能なシリコン含有エピタキシャル膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコン含有エピタキシャル膜の製造方法は、シリコン源として下記一般式(1) (SiH2)n・・・(1)(式(1)中、nは5〜10の整数である。)で表される水素化シラン化合物および/または下記一般式(2) H-(SinH2n)m-H・・・(2)(式(2)中、nは5〜10の整数であり、mは1以上の整数である。)で表される水素化シラン化合物を含む堆積ガスを用いる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリコン源として下記一般式(1) (SiH2)n・・・(1) (式(1)中、nは5〜10の整数である。) で表される水素化シラン化合物および/または下記一般式(2) H-(SinH2n)m-H・・・(2) (式(2)中、nは5〜10の整数であり、mは1以上の整数である。) で表される水素化シラン化合物を含む堆積ガスを用いることを特徴とするシリコン含有エピタキシャル膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/42

Fターム (33件)：

4K030AA03 , 4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA09 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA01 , 4K030HA01 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045BB02 , 5F045BB07 , 5F045BB09 , 5F045CA05 , 5F045EH11 , 5F045EH17

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-133104 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
縦型熱処理装置及び熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-293125 出願人：東京エレクトロン株式会社
シクロヘキサシランを利用した薄膜およびこの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-518371 出願人：マシスントライ-ガスインコーポレイテッド

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