シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人 , 山口和弘 , 田村誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-133104
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232674
出願日： 2010年06月10日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】シリコン化合物の合成物及びシリコン含有膜を堆積させるためにシリコン化合物を用いる方法を提供する。【解決手段】シリコン化合物を基板表面に導入するステップとシリコン化合物の一部、シリコンモチーフをシリコン含有膜として堆積させるステップとを用いる。インサイチュエッチング剤は、選択的シリコンエピタキシーの成長を支持する。シリコン化合物は、SiRX6、Si2RX6、Si2RX8(ここで、Xは独立して水素又はハロゲンであり、Rはカーボン、シリコン又はゲルマニウムである。)を含んでいる。シリコン化合物は、また、3つのシリコン原子と、4つのカーボン、シリコン又はゲルマニウム原子と、水素又はハロゲンと少なくとも1つのハロゲン原子とを含む化合物、また、4つのシリコン原子と、5つのカーボンと、シリコン又はゲルマニウム原子と、水素又はハロゲンと少なくとも1つのハロゲン原子とを含む化合物を含んでいる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリコン含有膜を堆積させる方法であって、シリコン化合物を基板表面に分配するステップと、該シリコン化合物を反応させて該シリコン含有膜を該基板表面上に堆積させるステップと、を含み、該シリコン化合物が下記構造を含んでいる、前記方法。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (26件)：

5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB05 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC13 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB20

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-185817
ホウ素でドープされたシリコン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-291393 出願人：ジェイエスアール株式会社
MOS型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-034263 出願人：東北大学長

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