半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-159637
公開番号（公開出願番号）：特開2015-032627
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：

【課題】耐性を向上させる。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、前記第1電極に接触し、前記第1電極から前記第2電極に向かう第1方向に対して交差する第2方向に配列された第1導電型の複数の第1半導体領域と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、前記第1電極に接触し、前記複数の第1半導体領域を囲み、前記複数の第1半導体領域の不純物濃度よりも不純物濃度が高い第1導電型の第2半導体領域と、前記第1電極と、前記第2電極、前記複数の第1半導体領域、および前記第2半導体領域と、の間に設けられ、前記第1電極にショットキー接続された第2導電型の第1半導体層と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、前記第1電極に接触し、前記第1電極から前記第2電極に向かう第1方向に対して交差する第2方向に配列された第1導電型の複数の第1半導体領域と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、前記第1電極に接触し、前記複数の第1半導体領域を囲み、前記複数の第1半導体領域の不純物濃度よりも不純物濃度が高い第1導電型の第2半導体領域と、前記第1電極と、前記第2電極、前記複数の第1半導体領域、および前記第2半導体領域と、の間に設けられ、前記第1電極にショットキー接続された第2導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層と前記第1電極との間であって、前記第2半導体領域の内側に設けられた複数の第3半導体領域と、備え、前記複数の第3半導体領域は、前記第2方向に配列され、前記複数の第3半導体領域の不純物濃度は、前記複数の第1半導体領域の不純物濃度よりも高く、前記第2方向において、前記複数の第3半導体領域のピッチは、前記複数の第1半導体領域のピッチよりも長い半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 29/06 , H01L 29/161

FI (10件)：

H01L29/48 F , H01L29/91 K , H01L29/91 D , H01L29/06 301G , H01L29/06 301V , H01L29/91 F , H01L29/06 301D , H01L29/161 , H01L29/48 M , H01L29/48 D

Fターム (13件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104FF32 , 4M104GG03 , 4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (3件)

ショットキーバリアダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-051591 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
ショットキーダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242831 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-317497 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所

前のページに戻る