特許

J-GLOBAL ID：201503085304295838

不揮発性メモリを内蔵する半導体装置

発明者： 石黒 隆 ,  下舞 賢一 ,  中島 京子 ,  弘中 哲夫 ,  谷川 一哉
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 高橋 真二
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012081569
公開番号（公開出願番号）：WO2013-118378
出願日： 2012年12月05日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

アドレス線から入力されるアドレスをデコードしてワード線にワード選択信号を出力するアドレスデコーダと、前記各ワード線と各データ線とが交差する位置にそれぞれ配置された複数の不揮発メモリセルを有し、前記不揮発性メモリセルは、相変化膜の一部を記憶素子として使用し、前記相変化膜の一端が電源電圧に接続した電極に接続している、メモリセルアレイと、前記相変化膜の他端に接続された前記データ線の電位を下げて、前記相変化膜の一部に相変化を生じさせ、前記不揮発メモリセルへデータを書き込むデータ線電圧制御部と、を備える半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

アドレス線から入力されるアドレスをデコードしてワード線にワード選択信号を出力するアドレスデコーダと、 前記各ワード線と各データ線とが交差する位置にそれぞれ配置された複数の不揮発メモリセルを有し、前記不揮発性メモリセルは、相変化膜の一部を記憶素子として使用し、前記相変化膜の一端が電源電圧に接続した電極に接続している、メモリセルアレイと、 前記相変化膜の他端に接続された前記データ線の電位を下げて、前記相変化膜の一部に相変化を生じさせ、前記不揮発メモリセルへデータを書き込むデータ線電圧制御部と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00

FI (6件)：

G11C13/00 150 ,  G11C13/00 110P ,  G11C13/00 140 ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 461 ,  H01L45/00 A

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA12