特許
J-GLOBAL ID：201503086056330105
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-186732
公開番号（公開出願番号）：特開2015-053456
出願日： 2013年09月09日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
要約：
【課題】高放熱性で高生産性の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体素子と、Cuを含む実装部材と、半導体素子と実装部材との間に設けられた接合層と、を含む半導体装置が提供される。接合金層は、TiとCuとを含む第1領域と、第1領域と実装部材との間に設けられSnとCuとを含む第2領域と、を含む。第1領域におけるTiの組成比は、半導体素子から実装部材に向かう第1方向に沿って減少する。第2領域におけるSnの組成比は、第1方向とは反対の第2方向に沿って減少する。第1領域におけるTiの組成比が、第1領域における最大値の0.1倍となる第1位置は、第2領域におけるSnの組成比が最大値の0.1倍となる第2位置と、半導体素子と、の間に位置する。第1位置と第2位置との間の距離は、0.1μm以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と、
Cuを含む実装部材と、
前記半導体素子と前記実装部材との間に設けられた接合層と、
を備え、
前記接合金層は、
TiとCuとを含む第1領域と、
前記第1領域と前記実装部材との間に設けられSnとCuとを含む第2領域と、
を含み、
前記第1領域におけるTiの組成比は、前記半導体素子から前記実装部材に向かう第1方向に沿って減少し、
前記第2領域におけるSnの組成比は、前記第1方向とは反対の第2方向に沿って減少し、
前記第1領域におけるTiの前記組成比が、前記第1領域におけるTiの前記組成比の最大値の0.1倍となる、前記第1方向に沿った第1位置は、
前記第2領域におけるSnの前記組成比が、前記第2領域におけるSnの前記組成比の最大値の0.1倍となる、前記第1方向に沿った第2位置と、前記半導体素子と、
の間に位置し、
前記第1位置と前記第2位置との間の距離は、0.1マイクロメートル以上である半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/52
, H01L 21/320
, H01L 21/768
, H01L 23/522
, H01L 21/60
H01L21/52 B
, H01L21/88 T
, H01L21/52 D
, H01L21/60 301A
5F033GG01
, 5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH18
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033VV07
, 5F033WW02
, 5F033WW04
, 5F033XX12
, 5F033XX22
, 5F033XX28
, 5F044AA07
, 5F047AA03
, 5F047AA13
, 5F047BA14
, 5F047BA19
, 5F047BB07
, 5F047BB16
, 5F047BB18
, 5F047CA02
