半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢作和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-368114
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108604
出願日： 2004年12月20日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】低有害、安全性等の環境要求に対応した錫(Sn)基はんだ用いた半導体装置およびその製造方法であって、はんだ付け条件の管理が容易で、低コストで製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】Sn基はんだSを介して、半導体基板1の裏面側が基材2にはんだ付け接合された半導体装置100であって、半導体基板1の裏面側において、第1金属層、第1金属-Sn合金層およびSn基はんだ層が、順次形成されてなり、前記第1金属が、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)および鉄-ニッケル-クロム合金(Fe-Ni-Cr)のいずれかである半導体装置100とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

錫(Sn)基はんだを介して、半導体基板の裏面側が基材にはんだ付け接合された半導体装置であって、前記半導体基板の裏面側において、第1金属層、第1金属-Sn合金層およびSn基はんだ層が、順次形成されてなり、前記第1金属が、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)および鉄-ニッケル-クロム合金(Fe-Ni-Cr)のいずれかであることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/52

FI (1件)：

H01L21/52 B

Fターム (2件)：

5F047BA01 , 5F047BA19

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-155726 出願人：関西日本電気株式会社

審査官引用 (8件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-030086 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-156823
ろう材料層を有する半導体基体
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-047059 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

全件表示

前のページに戻る