III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶および半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：辻丸光一郎 , 中山ゆみ , 伊佐治創
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013050342
公開番号（公開出願番号）：WO2013-105618
出願日： 2013年01月10日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：

大サイズで、かつ欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を製造可能なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。 III族窒化物結晶層(11)の複数の部分を、III族窒化物結晶(13)の生成および成長のための種結晶として選択する種結晶選択工程と、前記種結晶の表面をアルカリ金属融液に接触させる接触工程と、窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とを前記アルカリ金属融液中で反応させてIII族窒化物結晶(13)を生成させ成長させる結晶成長工程とを含み、前記種結晶が、六方晶であり、前記種結晶選択工程において、互いに隣接する前記種結晶から成長した各結晶のm面どうしがほぼ重なり合わないように前記種結晶を配置し、前記結晶成長工程において、III族窒化物結晶(13)の成長により、前記複数の種結晶から成長した複数のIII族窒化物結晶(13)を結合させるIII族窒化物結晶(13)の製造方法。

請求項（抜粋）：

予め準備されたIII族窒化物の複数の部分を、III族窒化物結晶の生成および成長のための種結晶として選択する種結晶選択工程と、前記種結晶の表面をアルカリ金属融液に接触させる接触工程と、窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とを前記アルカリ金属融液中で反応させて前記III族窒化物結晶を生成させ成長させる結晶成長工程とを含む、III族窒化物結晶の製造方法であって、前記種結晶が、六方晶であり、前記種結晶選択工程において、互いに隣接する前記種結晶から成長した各結晶のm面どうしがほぼ重なり合わないように前記種結晶を配置し、前記結晶成長工程において、前記III族窒化物結晶の成長により、前記複数の種結晶から成長した複数の前記III族窒化物結晶を結合させることを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 , C30B 19/12

FI (2件)：

C30B29/38 D , C30B19/12

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077CG01 , 4G077CG07 , 4G077EE07 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077QA01 , 4G077QA12 , 4G077QA43

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