特許

J-GLOBAL ID：201503089056940050

III族窒化物複合基板およびその製造方法、積層III族窒化物複合基板、ならびにIII族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 木山 誠 ,  石橋 恵二 ,  八郷 昭広 ,  松本 直樹 ,  中西 文毅
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-234993
公開番号（公開出願番号）：特開2015-095589
出願日： 2013年11月13日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
要約：

【課題】膜厚が大きく結晶品質の高いIII族窒化物膜を有する低コストで大口径で歪みの低いIII族窒化膜複合基板およびそれを用いて製造されるIII族窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】III族窒化物複合基板1は、厚さtSが0.1mm以上1mm以下の支持基板11と、厚さtsに比べて薄い厚さtfが0.01mm以上0.25mm以下のIII族窒化物膜13と、が貼り合わされた直径が75mm以上のIII族窒化物複合基板1であって、III族窒化物膜13の熱膨張係数αfから支持基板11の熱膨張係数αsを引いた熱膨張係数差Δαの絶対値|Δα|が2.2×10-6K-1以下であり、支持基板11のヤング率Esおよび厚さts、III族窒化物膜13のヤング率Efおよび厚さtf、および熱膨張係数差Δαとが、ts2/tf≧6Ef・|Δα|/Esの関係を満たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

厚さtSが0.1mm以上1mm以下の支持基板と、前記厚さtsに比べて薄い厚さtfが0.01mm以上0.25mm以下のIII族窒化物膜と、が貼り合わされた直径が75mm以上のIII族窒化物複合基板であって、 前記III族窒化物膜の熱膨張係数αfから前記支持基板の熱膨張係数αsを引いた熱膨張係数差Δαの絶対値|Δα|が2.2×10-6K-1以下であり、 前記支持基板のヤング率Esおよび前記厚さts、前記III族窒化物膜のヤング率Efおよび前記厚さtf、および前記熱膨張係数差Δαとが、次の式(1) ts2/tf≧6Ef・|Δα|/Es (1) の関係を満たすIII族窒化物複合基板。

IPC (9件)：

H01L 21/02 ,  H01L 33/32 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868

FI (13件)：

H01L21/02 B ,  H01L33/00 186 ,  H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 F ,  H01L29/86 301D

Fターム (25件)：

5F141AA40 ,  5F141AA41 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA71 ,  5F141CA73 ,  5F152LP01 ,  5F152LP02 ,  5F152LP09 ,  5F152MM02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN19 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ09 ,  5F241AA40 ,  5F241AA41 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA71 ,  5F241CA73

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-092513   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体膜の製造方法および窒化物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-325327   出願人：松下電器産業株式会社