エピタキシャル膜の分離方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-150884
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023185
出願日： 2013年07月19日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
要約：

【課題】基板上にエピタキシャル成長させたシリサイドを、簡易に基板から分離すること。【解決手段】BaSi2 からなるエピタキシャル膜2をSi基板1上に500〜600°Cでエピタキシャル成長させた。次に、Si基板1をMBE装置から取り出し、加熱装置に搬入した。そして、アルゴンガス雰囲気下で、700〜800°C、10〜60秒間、熱処理をした。その後、室温まで冷却した。次に、エピタキシャル膜2表面に粘着テープ3を貼り合わせ、粘着テープ3を引っ張り上げてSi基板1から粘着テープ3ごとエピタキシャル膜2を引き剥がした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にエピタキシャル成長されたエピタキシャル膜を、前記基板から分離するエピタキシャル膜の分離方法において、前記エピタキシャル膜はシリサイドであり、前記エピタキシャル膜は前記基板よりも4倍以上線膨張係数が大きく、前記基板上に前記エピタキシャル膜を形成した後、600〜800°Cの温度で10〜60秒間、前記基板を熱処理することにより、線膨張係数差による剥離を前記基板と前記エピタキシャル膜との間に生じさせて、前記基板から前記エピタキシャル膜を分離させる、ことを特徴とするエピタキシャル膜の分離方法。

IPC (7件)：

H01L 21/203 , H01L 21/205 , C23C 14/06 , C23C 14/58 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/20

FI (7件)：

H01L21/203 M , H01L21/205 , C23C14/06 E , C23C14/58 A , H01L21/02 B , H01L27/12 B , H01L21/20

Fターム (44件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA52 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029CA03 , 4K029DD03 , 4K029EA01 , 4K029EA08 , 4K029FA07 , 4K029GA01 , 4K029GA05 , 5F045AB30 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AF01 , 5F045AF03 , 5F045HA16 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103AA10 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103NN01 , 5F103PP03 , 5F103PP14 , 5F103PP20 , 5F152LL03 , 5F152LL08 , 5F152LL09 , 5F152LL10 , 5F152LM08 , 5F152LN19 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152LP09 , 5F152MM13 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN14 , 5F152NN27 , 5F152NP11 , 5F152NQ01

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