半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：平川明 , 高田大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-254136
公開番号（公開出願番号）：特開2015-115641
出願日： 2013年12月09日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
要約：

【課題】半導体装置における斜め方向の通信を行う。【解決手段】半導体装置は、積層された複数の半導体チップと、第1の半導体チップに設けられた第1の孔内に形成され、前記第1の孔の中心線に対して傾斜する傾斜面を有し、電波を送受信する第1のアンテナ部と、第2の半導体チップに設けられた第2の孔内に形成され、前記第2の孔の中心線に対して傾斜する傾斜面を有し、電波を送受信する第2のアンテナ部と、を備え、前記第1のアンテナ部の前記傾斜面と前記第2のアンテナ部の前記傾斜面とが対向するように、前記第1のアンテナ部及び前記第2のアンテナ部が配置されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

積層された複数の半導体チップと、第1の半導体チップに設けられた第1の孔内に形成され、前記第1の孔の中心線に対して傾斜する傾斜面を有し、電波を送受信する第1のアンテナ部と、第2の半導体チップに設けられた第2の孔内に形成され、前記第2の孔の中心線に対して傾斜する傾斜面を有し、電波を送受信する第2のアンテナ部と、を備え、前記第1のアンテナ部の前記傾斜面と前記第2のアンテナ部の前記傾斜面とが対向するように、前記第1のアンテナ部及び前記第2のアンテナ部が配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01Q 9/30 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 27/10 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01Q 9/40

FI (7件)：

H01Q9/30 , H01L25/08 C , H01L27/10 495 , H01L27/10 481 , H01L27/10 311 , H01L21/88 J , H01Q9/40

Fターム (29件)：

5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033MM01 , 5F033MM17 , 5F033MM30 , 5F033NN32 , 5F033NN33 , 5F033QQ07 , 5F033QQ16 , 5F033QQ21 , 5F033QQ29 , 5F033VV00 , 5F033VV07 , 5F033VV16 , 5F083AD00 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA10 , 5F083GA27 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083KA17 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083ZA10 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA23 , 5F083ZA29

引用特許：

出願人引用 (5件)

集積回路用データ通信装置ならびに集積回路チップおよびこの集積回路チップを用いた集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-295575 出願人：株式会社シンセシス
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-142852 出願人：新日本無線株式会社
基板内に放射素子として形成されたビアを使用してアンテナを構成する装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-353546 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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