特許
J-GLOBAL ID：201503091097605414
エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-216557
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079877
出願日： 2013年10月17日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：
【課題】基板上のシリコン含有膜を、フッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを用いて複数の基板に対して連続してエッチングする際に、エッチングレートの低下を抑制する。【解決手段】基板Wのシリコン含有膜をエッチングするエッチング装置5は、チャンバー40と、チャンバー40内に設けられた基板載置機構42と、チャンバー40内にフッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを供給するガス供給機構43と、排気機構44とを備える。基板載置機構42は、載置台91と、載置台91の載置面の温度を50°C以下の温度に温調する温調機構94,95と、載置台91の載置面以外の面の少なくとも一部を60〜100°Cに加熱する加熱部材99とを有し、載置台91の少なくとも載置面は、樹脂製のコーティング層98が形成されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上のシリコン含有膜を、フッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを用いてエッチングし、副生成物としてケイフッ化アンモニウムが生成されるエッチング装置であって、
シリコン含有層を有する基板が収容されるチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられた基板載置機構と、
前記チャンバー内にフッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と
を備え、
前記基板載置機構は、
基板を載置する載置面を有する載置台と、
前記載置台の前記載置面の温度を50°C以下の温度に温調するための温調機構と、
前記載置台の前記載置面以外の面の少なくとも一部を60〜100°Cに加熱するための加熱部材と
を有し、
前記載置台の少なくとも前記載置面は、樹脂製のコーティング層が形成されていることを特徴とするエッチング装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F004AA06
, 5F004BB25
, 5F004BB29
, 5F004DA00
, 5F004DA20
, 5F004DB03
, 5F004EA34
