酸化物誘電体及びその製造方法、酸化物誘電体の前駆体、並びに固体電子装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野広明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-202328
公開番号（公開出願番号）：特開2015-067475
出願日： 2013年09月27日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：

【課題】優れた特性を有する酸化物誘電体、及びその酸化物誘電体を備えた固体電子装置(例えば、高周波フィルタ、パッチアンテナ、キャパシタ、半導体装置、又は微小電気機械システム)を提供する。【解決手段】本発明の1つの酸化物誘電体からなる酸化物層30は、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)を含み、かつそのビスマス(Bi)の原子数を1としたときに、そのニオブ(Nb)の原子数が、1.3以上1.7以下である、【選択図】図1

請求項（抜粋）：

パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)を含み、かつ前記ビスマス(Bi)の原子数を1としたときに、前記ニオブ(Nb)の原子数が、1.3以上1.7以下である、酸化物誘電体。

IPC (9件)：

C01G 33/00 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/316 , H01G 4/12 , H01G 4/33 , H01G 4/10

FI (8件)：

C01G33/00 A , H01L27/10 444C , H01L27/04 C , H01L21/316 C , H01G4/12 397 , H01G4/12 400 , H01G4/06 101 , H01G4/10

Fターム (42件)：

4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE06 , 4G048AE07 , 4G048AE08 , 5E001AB01 , 5E001AH01 , 5E001AH08 , 5E001AJ02 , 5E082AB01 , 5E082BC39 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082FF05 , 5E082FG04 , 5E082FG27 , 5E082FG46 , 5E082FG54 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F083FR00 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-339502 出願人：宇部興産株式会社
ビスマス化合物の製造方法とビスマス化合物の誘電体物質
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-213694 出願人：ソニー株式会社

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