特許
J-GLOBAL ID：201503096001724991

気相成長装置および気相成長方法

発明者：
山田 拓未

山田 拓未 について

, 
佐藤 裕輔

佐藤 裕輔 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-124848
公開番号（公開出願番号）：特開2015-002209
出願日： 2013年06月13日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
要約：
【目的】反応室側壁への膜堆積を抑制し、低欠陥の膜を基板に成膜する気相成長装置を提供する。【構成】実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室の上部に配置され、反応室内にガスを供給するシャワープレートと、反応室内のシャワープレート下方に設けられ、基板を載置可能な支持部と、プロセスガスを供給するプロセスガス供給路と、水素および不活性ガスから選ばれる第1および第2のパージガスとの混合ガスを供給するパージガス供給路とを備える。そして、シャワープレートの内側領域にプロセスガス噴出孔が設けられ、シャワープレートの外側領域にパージガスガス噴出孔が設けられる。そして、プロセスガス供給路がプロセスガス噴出孔に接続され、パージガス供給路がパージガス噴出孔に接続される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応室と、 前記反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、 第1のプロセスガスを供給する第1のガス供給路と、 第2のプロセスガスを供給する第2のガス供給路と、 水素および不活性ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを含む第1のパージガスと、不活性ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを含み前記第1のパージガスより分子量が大きい第2のパージガスとの混合ガスを供給するパージガス供給路と、 前記反応室の上部に配置され、 前記第1のガス供給路に接続され第1の水平面内に配置され互いに平行に延伸する複数の第1の横方向ガス流路と、前記第1の横方向ガス流路に接続され縦方向に延伸し前記反応室側に第1のガス噴出孔を有する複数の第1の縦方向ガス流路と、 前記第2のガス供給路に接続され前記第1の水平面より上方の第2の水平面内に配置され前記第1の横方向ガス流路と同一方向に互いに平行に延伸する複数の第2の横方向ガス流路と、前記第2の横方向ガス流路に接続され前記第1の横方向ガス流路の間を通って縦方向に延伸し前記反応室側に第2のガス噴出孔を有する複数の第2の縦方向ガス流路と、 前記パージガス供給路に接続され、前記第1および第2のガス噴出孔より前記反応室の側壁側に設けられるパージガス噴出孔とを有し、前記反応室内にガスを供給するシャワープレートと、 を備えることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455
Fターム (36件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB02 ,  5F045AB06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045BB12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DP14 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DP28 ,  5F045EE14 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EK07 ,  5F045EN04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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