特許
J-GLOBAL ID：201503096659128187

β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体

発明者：
後藤 健

後藤 健 について

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佐々木 公平

佐々木 公平 について

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纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

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熊谷 義直

熊谷 義直 について

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村上 尚

村上 尚 について


出願人/特許権者：
株式会社タムラ製作所

株式会社タムラ製作所 について

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国立大学法人東京農工大学

国立大学法人東京農工大学 について


代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-088589
公開番号（公開出願番号）：特開2015-091740
出願日： 2014年04月22日
公開日（公表日）： 2015年05月14日
要約：
【課題】高品質かつ大口径のβ-Ga2O3系単結晶膜を効率的に成長させることのできるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及びその成長方法により成長したβ-Ga2O3系単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、HVPE法によるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法であって、Ga2O3系基板10を塩化ガリウム系ガス及び酸素含有ガスに曝し、Ga2O3系基板10の主面11上にβ-Ga2O3系単結晶膜12を900°C以上の成長温度で成長させる工程を含む、β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法を提供する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
HVPE法によるβ-Ga2O3系単結晶膜の成長方法であって、 Ga2O3系基板を塩化ガリウム系ガス及び酸素含有ガスに曝し、前記Ga2O3系基板の主面上にβ-Ga2O3系単結晶膜を900°C以上の成長温度で成長させる工程を含む、β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/16 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/365
FI (3件)：
C30B29/16 ,  C30B25/20 ,  H01L21/365
Fターム (41件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BB10 ,  4G077DB05 ,  4G077EA01 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EB06 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF01 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ08 ,  5F045EK06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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