半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：速水進治 , 天城聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-182362
公開番号（公開出願番号）：特開2015-050383
出願日： 2013年09月03日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：

【課題】熱応力が電極パッドに加わっても、電極パッドが移動することを抑制する。【解決手段】半導体チップSCの基板SUBの平面形状は矩形である。そして、半導体チップSCは、複数の電極パッドPDを有している。基板SUBの第1辺SID1に沿う方向において、第1電極パッドPD1の中心は、第1開口OP1の中心よりも、第1辺SID1の端の近くに位置している。このため、第1辺SID1に沿う方向における第1電極パッドPD1のうち絶縁膜PSVで被覆されている部分の幅は、第1辺SID1の端に近い方が、その逆側よりも広くなっている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

矩形の基板と、前記基板上に形成された多層配線層と、前記多層配線層の最上層の配線層に形成され、前記基板の第1辺に沿って配置された複数の電極パッドと、前記最上層の配線層上に形成され、前記複数の電極パッドのそれぞれの上に位置する複数の開口を有する絶縁膜と、を備え、前記開口は、前記電極パッドよりも小さく、前記第1辺の一端に最も近い前記電極パッドを第1電極パッドとして、前記第1電極パッドの上に位置する前記開口を第1開口とした場合、前記第1辺に沿う方向において、第1電極パッドの中心は、前記第1開口の中心よりも、前記一端の近くに位置している半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (1件)：

H01L21/60 301N

Fターム (3件)：

5F044EE01 , 5F044EE02 , 5F044EE21

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-302843 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
半導体チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-266162 出願人：三星電子株式会社
半導体集積回路のボンディングパッド構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-317542 出願人：三洋電機株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-302843 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
半導体チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-266162 出願人：三星電子株式会社
半導体集積回路のボンディングパッド構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-317542 出願人：三洋電機株式会社

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