特許

J-GLOBAL ID：201503098637498030

裏面照射型センサを作製するための方法

発明者： ムラリ,ベンカテサン ,  チャリ,アルビンド ,  プラブ,ゴパル ,  ペッティ,クリストファー・ジェイ
出願人/特許権者： ジーティーエイティー・コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-556595
公開番号（公開出願番号）：特表2015-508233
出願日： 2013年02月05日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：

裏面照射型センサを作製するための方法は、第1の導電性を有する薄膜半導体薄片を提供するステップと、薄片内および薄片の表面に第2の導電性を有するドープ領域を形成するステップとを含む。薄片は自立薄片として提供され得るか、または、薄片が劈開された半導体ドナー体として提供され得る。ドープ領域への電気的接続部が形成される。仮キャリアが、半導体の裏面に接触され、その後、取り除かれる。裏面照射型センサは、半導体薄片から作製され、作製プロセス中に半導体薄片の厚さが実質的に変化しないままである。

請求項（抜粋）：

裏面照射型センサを作製する方法であって、 表面、裏面、および前記表面と前記裏面との間の厚さを有する薄膜半導体薄片を提供するステップを備え、前記半導体薄片は第1の導電性を有しており、前記方法はさらに、 前記薄片の前記表面において前記半導体薄片内にドープ領域を形成するステップを備え、前記ドープ領域は第2の導電性を有しており、前記方法はさらに、 前記半導体薄片の前記裏面に仮キャリアを接触させるステップと、 前記半導体薄片の表側に前記ドープ領域への電気的接続部を形成するステップと、 前記裏面から前記仮キャリアを取り除くステップと、 前記半導体薄片から裏面照射型センサを作製するステップとを備え、前記半導体薄片の厚さは、前記裏面照射型センサの作製中に実質的に変化しないままである、方法。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/374

FI (3件)：

H01L27/14 F ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 740

Fターム (12件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024CY47 ,  5C024EX52 ,  5C024GX24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-048412   出願人：株式会社東芝
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-066877   出願人：パナソニック株式会社
• 極薄シリコン・オン・インシュレータ基板を使用した背面照射型撮像装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-511780   出願人：サーノフコーポレーション