特許
J-GLOBAL ID：201503099083881312
アクティブマトリックス基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-255904
公開番号（公開出願番号）：特開2015-114460
出願日： 2013年12月11日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
要約：
【課題】TFTの半導体チャネル膜として酸化物半導体膜を容易に用いることができ、製造時の写真製版工程の回数を抑えることができるFFS方式のアクティブマトリックス基板を提供する。【解決手段】TFT201は、半導体チャネル膜2と、半導体チャネル膜2上の第1絶縁膜からなるゲート絶縁膜31と、ゲート絶縁膜31上の第1導電膜と第2導電膜との積層膜からなるゲート電極4と、それらを覆う層間絶縁膜32と、層間絶縁膜32上に形成された第3導電膜と第4導電膜との積層膜からなるソース電極5と、第3導電膜からなるドレイン電極6とを備える。ゲート配線41は、ゲート電極4と同じ第1導電膜と第2導電膜との積層膜からなる。ソース配線51は、ソース電極5と同じ第3導電膜と第4導電膜との積層膜からなる。画素電極7は、第1導電膜からなり、コンタクトホール13を通してドレイン電極6に接続する。対向電極8は、第3導電膜からなる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続したゲート配線と、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接続したソース配線と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続した画素電極と、
前記画素電極に対向配置される対向電極と、
前記対向電極に一定電位を供給する共通配線と、
を備えるアクティブマトリックス基板であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成された半導体膜からなる半導体チャネル膜と、
前記半導体チャネル膜上に形成された第1絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第1導電膜とその上の第2導電膜との積層膜からなる前記ゲート電極と、
前記半導体チャネル膜、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極上に形成された第2絶縁膜からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された第3導電膜とその上の第4導電膜との積層膜からなり、前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記半導体チャネル膜に接続する前記ソース電極と、
前記第3導電膜からなり、前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記半導体チャネル膜に接続する前記ドレイン電極と、
を備え、
前記ゲート配線は、前記第1導電膜と前記第2導電膜との積層膜からなり、前記ゲート電極と接続するように形成されており、
前記ソース配線は、前記第3導電膜と前記第4導電膜との積層膜からなり、前記ソース配線と接続するように形成されており、
前記画素電極は、前記第1導電膜からなり、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記ドレイン電極と接続しており、
前記対向電極は、前記第3導電膜からなり、前記層間絶縁膜を介して前記画素電極の上に形成されている
ことを特徴とするアクティブマトリックス基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (28件)：
2H092GA14
, 2H092GA43
, 2H092JA25
, 2H092JA40
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092JB05
, 2H092JB57
, 2H092KA08
, 2H092MA16
, 2H092NA27
, 2H092QA06
, 2H192AA24
, 2H192BB13
, 2H192BB53
, 2H192BB86
, 2H192BC35
, 2H192BC42
, 2H192CB02
, 2H192CB37
, 2H192CB82
, 2H192CC32
, 2H192CC72
, 2H192CC75
, 2H192EA64
, 2H192FA65
, 2H192HA44
, 2H192JA32
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-273056
出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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特開平2-058029
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