抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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方ふっ石の組成は出発物質の違いのみならず,各生成条件(温度.濃度・反応時間)と密接に関係することを明らかにした。斜プチロルふっ石岩を出発物質としてNa
2CO
3溶液下(1M,0.25M)で方ふっ石が生成される場合,一般に低温条件のもとではSiO
2含有比の高い方ふっ石か形成され,逆に高温条件のもとではSiO
2含有比の低い方ふっ石か形成される.また,Na
2CO
3溶液の濃度か高い場合には低シリカ,低濃度の場合には高シリカ方ふっ石か形成する。さらに方ふっ石の組成は反応時間にも影響される。以上より黒鉱鉱床周辺の方ふっ石一方解石帯の成因解明の有力な手かかりが得られる。(150°C以上);写図6表5参22