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J-GLOBAL ID：201602203168188710   整理番号：16A0282082

As₂分子線を用いて成長したInAs-QDによる電流注入型広帯域光源

著者 (7件)： 林佑真 (和歌山大) ,  尾崎信彦 (和歌山大) ,  大河内俊介 (NEC) ,  大里啓孝 (物質・材料研究機構) ,  渡辺英一郎 (物質・材料研究機構) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-P16-6  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,  *量子ドット ,  注入 ,  *広帯域 ,  *光源 ,  エレクトロルミネセンス ,  光ルミネセンス ,  発光 ,  *InAs量子ドット ,  面発光
準シソーラス用語： 分子線エピタキシャル成長 ,  電流注入 ,  フォトルミネセンス

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線 ,  成長 ,  InAs ,  電流注入 ,  広帯域