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J-GLOBAL ID：201602206610201622   整理番号：16A0277898

CdTe結晶を通過するナノ秒レーザパルスの照射によるCdTe-In界面の変化

Modification of the CdTe-In Interface by Irradiation with Nanosecond Laser Pulses through the CdTe Crystal

著者 (3件)： ZELENSKA Kateryna S. (Taras Shevchenko National Univ. Kyiv, Kyiv, UKR) ,  GNATYUK Dmytro V. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  AOKI Toru (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web)  (Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： 298-303 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U0377A  ISSN： 1880-0688  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdTe-Inの半導体-金属界面のレーザ処理を,λ=1064nmのナノ秒パルスを用いて水中のCdTe結晶を通過する照射により研究した。CdTe-In界面への直接レーザ衝撃後,In膜に隣接した薄いInドープCdTe層が形成された。p-n接合を有する作製したIn/CdTe/Auダイオード検出器は鋭い整流とX/γ照射への感度を示した。水中でCdTeを通過して照射されたIn膜のレーザ誘起加熱のシミュレーションを行った。ナノ秒レーザパルス作用後の種々の瞬間における三層CdTe-In-水内の温度分布を計算した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,  パルスレーザ ,  *硫化カドミウム ,  化合物半導体 ,  *インジウム ,  *界面 ,  *ドーピング ,  PN接合 ,  半導体検出器 ,  *整流 ,  計算機シミュレーション ,  温度分布 ,  *水中 ,  *放射線検出器 ,  X線 ,  γ線 ,  電流電圧特性 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： ナノ秒レーザ

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  レーザの応用  (BD04100V)

引用文献 (20件)：

• “Laser Annealing of Semiconductors” ed. by J. M. Poate and J. W. Mayer, (Academic Press, New York, 1982) p.576.
• R. T. Young: “Pulsed Laser Processing of Semiconductors”, in “Semiconductors and Semimetals” ed. by R. F. Wood, C. W. White and R. T. Young, (Academic Press, New York, 1985) p.693.
• “Resent Advances in Laser Processing of Materials” ed. by J. Perriere, E. Millon and E. Fogarassy, (Elsevier, Oxford, 2006) p.472.
• V. A. Gnatyuk, T. Aoki, Y. Nakanishi and Y. Hatanaka: Surf. Sci., 542, (2003) 142.
• T. Aoki, D. V. Gnatyuk, V. A. Odarych, L. V. Poperenko, I. V. Yurgelevych and S. N. Levytskyi: Thin Solid Films, 519, (2011) 2834.

タイトルに関連する用語 (5件)： CdTe ,  結晶 ,  ナノ秒レーザ ,  パルス ,  界面