文献

J-GLOBAL ID：201602207718186880   整理番号：16A0051644

新しいナノスケール部分空乏型SOI MOSFETにおける信頼性が強化された証拠

Evidence for Enhanced Reliability in a Novel Nanoscale Partially-Depleted SOI MOSFET

著者 (2件)： ANVARIFARD Mohammad Kazem (Semnan Univ., Semnan, IRN) ,  OROUJI Ali Asghar (Semnan Univ., Semnan, IRN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 15  号： 4  ページ： 536-542  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,信頼性改善を成功させるために,埋め込み酸化膜とソース及びチャネル領域間に界面シリコン層を加える新しい部分空乏型シリコン-オン-インシュレータ(SOI)金属酸化物半導体電界効果トランジスタを提示する。界面層の高ドープn⁺及びp⁺シリコン領域は,Esakiトンネルダイオードを形成した。トンネルダイオードを通るトンネル電流は,チャネル内部の電位分布を大きく修正することによって,蓄積正孔を動かし浮体効果を減少しデバイス信頼性改善に成功する新しい道を開く。修正電位分布SOI(MPD-SOI)における短チャネル効果(SCE),漏れ電流とサブ閾値スイング,ドレイン誘起障壁低下(GIDL),自己加熱効果,寄生バイポーラデバイス効果,電圧利得,片側電力利得,ドレイン-ソースコンダクタンス,遮断周波数及び最小雑音指数のような基本特性を含む過渡,直流及び小信号挙動を従来のSOI(C-SOI)構造のものと比較して改善することに成功した。提案構造は,信頼性が改善されたことによる最終的な実験による証明への動機付けを与える。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *SOI構造 ,  *信頼性 ,  ナノ構造 ,  空乏層 ,  半導体プロセス ,  浮体 ,  電流電圧特性 ,  短チャネル効果 ,  遮断周波数 ,  雑音指数
準シソーラス用語： 部分空乏型SOI

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  部分空乏型SOI ,  MOSFET ,  強化 ,  証拠