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J-GLOBAL ID：201602209123896312   整理番号：16A0118518

イオンビームスパッタリング堆積による,ニッケルホイル上の大粒径単結晶六方晶系窒化ホウ素分域の合成

Synthesis of Large-Sized Single-Crystal Hexagonal Boron Nitride Domains on Nickel Foils by Ion Beam Sputtering Deposition

著者 (9件)： WANG Haolin (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN) ,  ZHANG Xingwang (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN) ,  LIU Heng (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN) ,  YIN Zhigang (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN) ,  MENG Junhua (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN) ,  XIA Jing (Key Lab of Photochemical Conversion and Optoelectronic Materials, Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese ...) ,  MENG Xiang-Min (Key Lab of Photochemical Conversion and Optoelectronic Materials, Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese ...) ,  WU Jinliang (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN) ,  YOU Jingbi (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 27  号： 48  ページ： 8109-8115  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水平方向で100μmに達する大粒径の単結晶h-BN分域を,イオンビームスパッタリング堆積でNiホイル上に合成した。h-BNの核形成密度は,簡単なその場基板処理および成長パラメータの最適化で,活性部位および化学種双方のNi表面上の濃度を低下すると劇的に低下し,大粒径の分域の成長が可能となった。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオンビームスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  ニッケル ,  *窒化ホウ素 ,  *単結晶 ,  *結晶核形成 ,  *核形成 ,  処理 ,  パラメータ ,  活性部位 ,  濃度 ,  分域 ,  電子顕微鏡観察 ,  顕微鏡観察 ,  表面粗さ ,  X線光電子分光法 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  依存性
準シソーラス用語： その場処理 ,  原子間力顕微鏡観察 ,  照射量依存性 ,  生長パラメータ ,  走査電子顕微鏡観察 ,  表面濃度 ,  *不均一核形成 ,  *六方晶系窒化ホウ素

分類 (4件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  スパッタリング  (BK16110U) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオンビームスパッタリング ,  堆積 ,  ニッケル ,  大粒径 ,  単結晶 ,  六方晶系窒化ホウ素 ,  分域