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J-GLOBAL ID：201602209776697641   整理番号：16A0280646

表面終端による浅いNVセンターの電荷状態

著者 (15件)： 加藤かなみ (早稲田大) ,  山野颯 (早稲田大) ,  蔭浦泰資 (早稲田大) ,  瀬下裕志 (早稲田大) ,  稲葉優文 (早稲田大) ,  東又格 (早稲田大) ,  小池悟大 (早稲田大) ,  谷井孝至 (早稲田大) ,  磯谷順一 (筑波大) ,  寺地徳之 (物質・材料研究機構) ,  小野田忍 (日本原子力研究開発機構) ,  春山盛善 (群馬大) ,  加田渉 (群馬大) ,  花泉修 (群馬大) ,  川原田洋 (早稲田大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.19P-H103-8  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *空格子点 ,  *窒素 ,  光ルミネセンス ,  *水素終端 ,  *NV中心 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： *窒素空孔中心 ,  フォトルミネセンス

分類 (2件)： 有機化合物の格子欠陥  (BK12060M) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 終端 ,  NVセンター ,  電荷状態