文献

J-GLOBAL ID：201602212250855065   整理番号：16A0046602

異なるバンドギャップエネルギーを持つInAs-QDを用いた中間バンド型GaAs太陽電池の特性比較

著者 (7件)： 池田理彩 (和歌山大 シス工) ,  林佑真 (和歌山大 シス工) ,  尾崎信彦 (和歌山大 シス工) ,  大里啓孝 (物質・材料研究機構) ,  渡辺英一郎 (物質・材料研究機構) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 26th  ページ： 419-422  発行年： 2015年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *太陽電池 ,  *バンドギャップ ,  *電流電圧特性 ,  *光電流 ,  *発光スペクトル ,  *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  量子ドット太陽電池
準シソーラス用語： 量子ドット半導体型太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンドギャップエネルギー ,  InAs ,  中間バンド ,  GaAs ,  太陽電池