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J-GLOBAL ID：201602212753241188   整理番号：16A0233447

CH₄/H₂/SF₆を用いた誘導結合プラズマエッチング技術によって作製したGaNナノロッドのプロセス最適化

Process Optimization of GaN Nanorods Fabricated Using CH₄/H₂/SF₆ Inductively Coupled Plasma Etch Technology

著者 (3件)： AL-SULEIMAN M.A.M. (King Abdulaziz Univ., Jeddah, SAU) ,  AL-HADEETHI Y. (King Abdulaziz Univ., Jeddah, SAU) ,  WAAG A. (Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 7  号： 12  ページ： 2523-2527  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNはオプトエレクトロニクスやフォトニクスにおける様々な応用に適した優れた物理的特性を有するので,最近注目されている。特に,量子ドット(QD)やナノロッドのような低次元構造はオプトエレクトロニクス素子やエレクトロニクス素子への応用という観点から非常に興味深い。更に,アスペクト比の大きいマイクロおよびナノ構造は同じ基板面積当たりの有効発光面積が大きいので,GaNを基本とする発光ダイオード(LED)への応用が期待される。本稿では,CH₄/H₂/SF₆を用いた誘導結合プラズマエッチング技術によって作製したGaNナノロッドのプロセスの最適化について報告する。このプロセスはオプトエレクトロニクス素子の作製において本質的である塩素を含むプラズマよりも腐食性が少ない。CH₄/H₂の比,SF₆の濃度およびRFとICPのパワーの影響を議論する。H₂中におけるCH₄の濃度を15~30%の間で変化させた場合,濃度の増大に伴ってエッチング速度が増加することが分かった。更に,CH₄の濃度が増大すると,エッチング速度は減少することが判明した。一方で,添加ガスとしてSF₆を加えると,エッチング速度は4倍程度増加する。これは,エッチング表面上に堆積した保護高分子膜の除去に起因する。結果として,本研究で採用したトップダウン法はレーザーダイオード,発光ダイオードおよび3次元トランジスターのような最先端の素子の処理への活用が期待される。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ナノロッド ,  *プラズマエッチング ,  誘導結合プラズマ ,  アスペクト比 ,  水素 ,  *フッ化硫黄 ,  *最適化 ,  濃度依存性 ,  加工速度 ,  アルカン
準シソーラス用語： 六フッ化硫黄 ,  エッチング速度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (8件)： H2 ,  SF6 ,  誘導結合 ,  プラズマエッチング技術 ,  作製 ,  GaN ,  ナノロッド ,  プロセス最適化