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J-GLOBAL ID：201602214889606760   整理番号：16A0190621

アナモルフィック高NA EUVリソグラフィ光学

Anamorphic high-NA EUV Lithography Optics

著者 (5件)： MIGURA Sascha (Carl Zeiss SMT GmbH, Oberkochen, DEU) ,  KNEER Bernhard (Carl Zeiss SMT GmbH, Oberkochen, DEU) ,  NEUMANN Jens Timo (Carl Zeiss SMT GmbH, Oberkochen, DEU) ,  KAISER Winfried (Carl Zeiss SMT GmbH, Oberkochen, DEU) ,  VAN SCHOOT Jan (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9661  ページ： 96610T.1-96610T.9  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 8nm以下のEUVLではNAが0.5以上の投影光学系が必要になる。このような高NAでは4倍フルサイズ6インチレチクルは現状のEUV光学系では使えない。主光線角度の増加がシャドウイング効果を増してコントラストを低下させるからである。唯一の対応策は投影光学計の倍率を上げることである。オプションのトレードオフとして,12”マスクで4倍の26×33mm²のフルフィールドか,6”マスクで8倍の13×16.5mm²の1/4フィールドにするかがある。このトレードオフの最適解は4倍/8倍のアナモルフィック倍率であり,6”マスクで26×16.5mm²のハーフフィールドにすることである。これによって生産性と解像度が両立可能である。シミュレーションによって,高NAでのアナモルフィック光学システムの優れた結像挙動を示した。

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,  極端紫外線 ,  光学系 ,  倍率 ,  *開口数 ,  影効果 ,  コントラスト ,  *画像特性
準シソーラス用語： EUV ,  *EUVリソグラフィー ,  アナモルフィック ,  シャドーイング ,  結像特性 ,  高開口数 ,  投影光学系

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： Na ,  EUVリソグラフィ ,  光学