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J-GLOBAL ID：201602215238121889   整理番号：16A0572381

CVD合成ダイヤモンド結晶を起点とした単層カーボンナノチューブの成長

著者 (2件)： 石川豊 (日本工大 工) ,  長谷川光斗 (日本工大 工)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 67  号： 7  ページ： 380-382  発行年： 2016年07月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は,カイラリティ(螺旋度)によって,金属的または半導体的性質を示すため,次世代の集積回路構成要素として重要な材料である。その生成法としては,化学気相堆積(CVD)法が応用上最も優れるが,そこから成長するSWCNTのカイラリティが揃うことはなく,金属的と半導体的性質が混在する。しかしながら,実際に集積回路構成要素として用いるには,どちらかを選択成長させる必要がある。そこで本研究では,近い将来の金属的または半導体的性質のSWCNTの選択成長に向けて,まずは熱フィラメントCVD法によって合成されたダイヤモンド結晶を用いてSWCNTの成長を試みた。得られた結果を以下に示す。1)CVD法で合成されたダイヤモンドを用いて,熱フィラメントCVD法によりSWCNTを成長させることができた。2)通常の金属触媒による成長に比べて,炭素原料濃度を高めにする必要があることが分かった。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *化学蒸着 ,  光学異性 ,  カイラル対称性 ,  *選択成長 ,  ダイヤモンド ,  結晶構造 ,  集積回路 ,  結晶方位 ,  結晶面
準シソーラス用語： キラリティ ,  *熱フィラメントCVD

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  気相めっき  (WC08022K)

引用文献 (8件)：

• 1)S. Iijima ; Nature, 354, 56(1991).
• 2)T. Tanaka, Y. Urabe, D. Nishide, H. Katsura ; Appl. Phys. Express, 2, 125002(2009).
• 3)W. H. Chiang, M. Sankaran ; Nat. Mater., 8, 882(2009).
• 4)D. Takagi, Y. Kobayashi, Y. Homma ; J. Am. Chem. Soc., 131, 6922(2009).
• 5)Y. Hirose, Y. Terasawa ; Jpn. J. Appl. Phys., 25, L519(1986).

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  ダイヤモンド結晶 ,  起点 ,  単層カーボンナノチューブ ,  成長