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J-GLOBAL ID：201602215270421516   整理番号：16A0008043

エピタキシャル高kゲートスタックのためのLa₂O₃/Geヘテロ構造に及ぼす原子配置マッチングの効果

Effect of atomic-arrangement matching on La₂O₃/Ge heterostructures for epitaxial high-k-gate-stacks

著者 (6件)： KANASHIMA T. (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  NOHIRA H. (Tokyo City Univ., 1-28-1 Tamazutumi, Setagaya-ku, Tokyo 158-8557, JPN) ,  ZENITAKA M. (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  KAJIHARA Y. (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  YAMADA S. (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  HAMAYA K. (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 118  号： 22  ページ： 225302-225302-5  発行年： 2015年12月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化ランタン ,  ゲルマニウム ,  積層構造 ,  *誘電体薄膜 ,  半導体薄膜 ,  *絶縁膜 ,  構造解析 ,  容量電圧特性 ,  配置 ,  X線光電子スペクトル ,  化学結合 ,  酸化ゲルマニウム ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  *ゲート【半導体】 ,  *MIS構造 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  *ゲート絶縁体 ,  原子配置 ,  高k誘電体 ,  透過型電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  ゲートスタック ,  La2O3 ,  Ge ,  ヘテロ構造 ,  原子配置 ,  マッチング