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J-GLOBAL ID：201602215899314355   整理番号：16A0403091

エレクトロニクス・スピントロニクスへ応用可能な「ボトムアップ型」配位ナノシート

著者 (5件)： 高田健司 (東大 大学院理学系研究科) ,  坂本良太 (東大 大学院理学系研究科) ,  坂本良太 (JST-さきがけ) ,  前田啓明 (東大 大学院理学系研究科) ,  西原寛 (東大 大学院理学系研究科)
資料名： 化学工業  (Chemical Industry)
巻： 67  号： 5  ページ： 385-390  発行年： 2016年05月01日 
JST資料番号： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 原子・分子・イオンを組み上げてボトムアップ的にナノシートを合成する方法を開発してきた。二次元ナノシートはトポロジカル絶縁体として次世代エレクトロニクス・スピントロニクスへ応用可能な物質として期待されている。高電導性を持つ機能性配位ナノシートとしてメタラジチオレンπナノシートを提案し,ビス(ジチオラト)ニッケル錯体ナノシートを創成した。ベンゼンヘキサチオールを有機配位子とし,縮環によりカゴメ格子状構造を有する。平均酸化状態が0のシートは配位高分子としては非常に高い高電導性を示し,本ナノシートは世界初の導電性「ボトムアップ型」ナノシートである。スピン軌道相互作用のより大きなパラジウムイオンに置き換えたナノシートも設計・合成した。

シソーラス用語： スピントロニクス ,  *ナノ構造 ,  *膜 ,  格子 ,  ニッケル錯体 ,  電気伝導率 ,  パラジウム錯体 ,  液液界面 ,  絶縁材料 ,  *ナノシート ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： エレクトロニクス ,  カゴメ格子

分類 (3件)： 非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ベンゼンヘキサチオール

タイトルに関連する用語 (5件)： エレクトロニクス ,  スピントロニクス ,  応用 ,  ボトムアップ ,  ナノシート