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J-GLOBAL ID：201602216648259220   整理番号：16A0190602

光源変調とモニタリングを使った10nmメタル1ロジック層の先進プロセスキャラクタリゼーション

Advanced Process Characterization of a 10nm Metal 1 Logic Layer using Light Source Modulation and Monitoring

著者 (9件)： ALAGNA Paolo (Cymer LLC, Leuven, BEL) ,  ZURITA Omar (Cymer LLC, CA) ,  TIMOSHKOV Vadim (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  WONG Patrick (imec, Leuven, BEL) ,  RECHTSTEINER Greg (Cymer LLC, CA) ,  BASELMANS Jan (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  MAILFERT Julien (imec, Leuven, BEL) ,  CONLEY Will (Cymer LLC, Leuven, BEL) ,  HSIEH Simon (Cymer LLC, Leuven, BEL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9661  ページ： 966105.1-966105.15  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ArF液浸リソグラフィが多重パターニングを使って延命すると,イメージング要求が一層厳しくなる。多重パターニングのロジックデバイスでは,最適プリンタビリティが光近接効果補正(OPC)だけでなく,レジスト,露光装置,マスク関連誤差などのプロセス要素にも左右される。光源も重要であり,E95帯域幅の変化がコントラスト変化でウエハパターニングを変化させる。Cymer社はプロセスキャラクタリゼーションを行う新しい計算および実験方法を開発した。シミュレーションでE96帯域幅変化がいかにCDUバジェットを損なうかを評価し,この結果を使ってN10ロジックタイプテストビークルに与える光源性能の影響を調べる実験条件を定めた。パターニング応答を追跡するイメージング指標は,プロセスウィンドウ(PW),線幅粗さ(LWR),局部クリティカルディメンション(LCDU)である。ホットスポットに依存する際立った応答性は,イメージング条件を変える時に考慮しなければならない複雑さと,低いE95帯域幅の値で走査する時の利点欠点を調べる必要性を示している。

シソーラス用語： エキシマレーザ ,  *フォトリソグラフィー ,  回路パターン形成 ,  補正 ,  *光源 ,  均一性 ,  長さ ,  許容範囲 ,  表面粗さ ,  ホットスポット ,  *キャラクタリゼーション ,  シミュレーション
準シソーラス用語： ArFエキシマレーザ ,  クリティカルディメンジョン均一性 ,  テストビークル ,  プロセスウィンドウ ,  二重パターニング ,  液浸リソグラフィー ,  光近接効果補正 ,  線幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 変調 ,  モニタリング ,  メタル ,  ロジック ,  プロセス ,  キャラクタリゼーション